Produktbeskrivelse
|
C3M0160120J er en 1200V 19A Medium og høyspent Silisiumkarbid Power MOSFET. |
Egenskaper

C3M0160120J er en svært avansert silisiumkarbidkraft MOSFET som tilbyr overlegen ytelse i en rekke høyspenningsapplikasjoner. Med en maksimal karakter på 1200V og en strømkapasitet på 19A, er denne MOSFET et ideelt valg for mellom- og høyspenningsapplikasjoner der pålitelighet og effektivitet er en topp prioritet.
En av hovedtrekkene til C3M0160120J er dens lavimpedanspakke med driverkildepinne. Denne utformingen muliggjør lav induktans, som igjen forbedrer enhetens bytteytelse og reduserer energitap. Pakken gir også et høyt nivå av beskyttelse mot termisk og mekanisk påkjenning, og sikrer pålitelig drift selv i tøffe miljøer.
En annen fordel med C3M0160120J er dens høye blokkeringsspenning med lav på-motstand. Denne kombinasjonen av funksjoner gjør at enheten kan oppnå høye nivåer av effektivitet og krafttetthet, slik at den kan levere optimal ytelse selv under tunge belastningsforhold.
C3M0160120J har også høyhastighetssvitsjing med lave kapasitanser, noe som gjør den egnet for bruk i frekvensomformere, motordrev og andre høyfrekvensapplikasjoner. I tillegg har enheten en rask intrinsic diode med lav revers gjenoppretting, som sikrer minimalt tap og høy effektivitet selv i applikasjoner som krever raske byttetider.

Parametere
| Pakkemetode | Terskelspenning | Driftstemperatur |
| TIL-263-8 | 2.5V | -55 grader til 150 grader |
Pin-konfigurasjon

Populære tags: power mosfet c3m0160120j, Kina power mosfet c3m0160120j leverandører, produsenter











